زمان بوت آپ در رايانههاي آينده حذف خواهد شد
ارسال شده: سهشنبه ۱۶ اسفند ۱۳۸۴, ۹:۰۷ ب.ظ
دانشمندان اميدواند MRAM ظرفيت هارد و توان رم را بالا ببرد.
به گزارش بخش خبر شبكه فن آوري اطلاعات ايران، از ايلنا ، دانشمندان يك پديده مغناطيسي جديد ايجاد كردهاند كه به گفته آنها راه را براي كاهش زمان روشن شدن رايانهها به تنها چند ثانيه و همين طور افزايش ظرفيت ذخيره رانههاي هارد فراهم ميكند.
محققان دانشگاه اوتونومي بارسلون اسپانيا در همكاري با دانشمندان دو آزمايشگاه آمريكايي و فرانسوي حالتها مغناطيسي جديدي را درسطح ميكروسكوپي ايجاد كردهاند، كه به \"حالتهاي ورتكس سرگردان\" معروف است. اين حالت امكان افزايش اندازه رم مغناطيسي را فراهم ميكند كه به هنگام خاموش شدن رايانه حذف نميشود.
به گفته محققان MRAM ، ميتواند زمينه روشن شدن آني رايانه را فراهم و زمان لازم براي بوت آپ را حذف كند.
به گزارش بخش خبر شبكه فن آوري اطلاعات ايران، از ايلنا ، دانشمندان يك پديده مغناطيسي جديد ايجاد كردهاند كه به گفته آنها راه را براي كاهش زمان روشن شدن رايانهها به تنها چند ثانيه و همين طور افزايش ظرفيت ذخيره رانههاي هارد فراهم ميكند.
محققان دانشگاه اوتونومي بارسلون اسپانيا در همكاري با دانشمندان دو آزمايشگاه آمريكايي و فرانسوي حالتها مغناطيسي جديدي را درسطح ميكروسكوپي ايجاد كردهاند، كه به \"حالتهاي ورتكس سرگردان\" معروف است. اين حالت امكان افزايش اندازه رم مغناطيسي را فراهم ميكند كه به هنگام خاموش شدن رايانه حذف نميشود.
به گفته محققان MRAM ، ميتواند زمينه روشن شدن آني رايانه را فراهم و زمان لازم براي بوت آپ را حذف كند.