تحاد "سوني"، "توشيبا" و "انييسي" براي...
ارسال شده: سهشنبه ۲۸ آذر ۱۳۸۵, ۴:۰۲ ب.ظ
سه شركت ژاپني "سوني"، "توشيبا" و "انييسي" روز جمعه از ايجاد فناوري فوق پيشرفته ۴۵نانومتري براي توليد نسل آينده تراشههاي رايانهاي خبر دادند.
به گزارش سايت اينترنتي "پيسيمگزين"، فناوري ايجاد شده توسط اين سه شركت براي توليد تراشههاي چندكاره سيليكوني با استفاده از فناوري ۴۵ نانومتري مورد استفاده قرار خواهد گرفت.
فناوري ۴۵نانومتري بدين معناست كه مدارهاي الكترونيكي موجود در اين تراشهها تنها ۴۵نانومتر ضخامت خواهند داشت. هر نانومتر برابر با يك ميلياردم متر است.
هم اكنون بزرگترين توليدكننده تراشههاي رايانهاي در جهان از جمله شركتهاي "اينتل" و "ايامدي" رقابت گستردهاي را براي توليد تراشههايي با فناوريهاي نانومتري پيشرفتهتر آغاز كردهاند.
در حالي كه تا چند ماه قبل فناوري ۹۰نانومتري به صورت يك استاندارد در ميان توليدكنندگان تراشهها مورد استفاده قرار ميگرفت، هماكنون فعاليت ۶۵نانومتري كمكم جايگزين آن شده و فناوري فوق پيشرفته ۴۵نانومتري نيز در حال كاربردي شدن است.
هر چه ضخامت مدارهاي به كار رفته درون تراشههاي رايانهاي كمتر باشد، توان و سرعت تراشهها بالا رفته و مصرف برق در آنها كاهش مييابد.
سه شركت "سوني"، "توشيبا" و "انييسي" اعلام كردند توليد مشترك نخستين تراشههاي ۴۵نانومتري را از سال ۲۰۰۷آغاز خواهند كرد.
به گزارش سايت اينترنتي "پيسيمگزين"، فناوري ايجاد شده توسط اين سه شركت براي توليد تراشههاي چندكاره سيليكوني با استفاده از فناوري ۴۵ نانومتري مورد استفاده قرار خواهد گرفت.
فناوري ۴۵نانومتري بدين معناست كه مدارهاي الكترونيكي موجود در اين تراشهها تنها ۴۵نانومتر ضخامت خواهند داشت. هر نانومتر برابر با يك ميلياردم متر است.
هم اكنون بزرگترين توليدكننده تراشههاي رايانهاي در جهان از جمله شركتهاي "اينتل" و "ايامدي" رقابت گستردهاي را براي توليد تراشههايي با فناوريهاي نانومتري پيشرفتهتر آغاز كردهاند.
در حالي كه تا چند ماه قبل فناوري ۹۰نانومتري به صورت يك استاندارد در ميان توليدكنندگان تراشهها مورد استفاده قرار ميگرفت، هماكنون فعاليت ۶۵نانومتري كمكم جايگزين آن شده و فناوري فوق پيشرفته ۴۵نانومتري نيز در حال كاربردي شدن است.
هر چه ضخامت مدارهاي به كار رفته درون تراشههاي رايانهاي كمتر باشد، توان و سرعت تراشهها بالا رفته و مصرف برق در آنها كاهش مييابد.
سه شركت "سوني"، "توشيبا" و "انييسي" اعلام كردند توليد مشترك نخستين تراشههاي ۴۵نانومتري را از سال ۲۰۰۷آغاز خواهند كرد.