مرکز انجمنهای تخصصی

شرکت سامسونگ به تازگی از ساخت یک مدل جدید از حافظه ها، که قرار است در 10 سال آینده جایگزین حافظه های موسوم به فلش شوند، خبر داد.


این نوع از حافظه ها که به نام PRAM (سرواژه کلمات جمله PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY) نامگذاری شده اند، برخلاف حافظه های فعلی، بدون نیاز به جریان الکتریسیته توانایی حفظ و مگه داری اطلاعات را در درون خود دارا هستند.


بنا بر اطلاعات منتشر شده از طرف شرکت سامسونگ، این رم ها قابلیت بازنویسی اطلاعات جدید را بدون از بین رفتن اطلاعات قبلی دارا هستن و تا 30 برابر از حافظه های موسوم به فلش (FLASH) امروزی سریعتر می باشند.

این اظهارات در نوع خود جالب و بی سابقه هستند و باید منتظر تولید مدل های نمایی و اولیه از این حافظه ها توسط سامسونگ بود تا بتوان در مورد آن قضاوت نمود.
جهت کسب اطلاعات بیشتر در مورد نحوه کارکرد این نوع از حافظه میتوانید از لینک های زیر دیدن کنید:
[External Link Removed for Guests]
[External Link Removed for Guests]
[External Link Removed for Guests]